اوایل هفته‌ی جاری شایعاتی درمورد توسعه‌ی تراشه‌ی جدید Kirin هواوی منتشر شد و اکنون جزئیات بیشتری از تراشه‌ی مذکور دردسترس قرار گرفته است.

افشاگر نام‌آشنای فناوری، Digital Chat Station با انتشار پستی در ویبو اعلام کرد هواوی برای ساخت تراشه‌ی بعدی Kirin خود احتمالاً از فرایند داخلی n+2/3 بهره خواهد برد؛ سیستم-روی-چیپی که می‌تواند با نام Kirin 9100 عرضه شود. به‌بیان دیگر غول فناوری چینی قصد دارد از لیتوگرافی ۵ نانومتری با لیتوگرافیِ Deep Ultraviolet (DUV) همراه با الگودهی چندگانه برای ساخت تراشه‌ی بعدی خود استفاده کند.

اگرچه هواوی ازطریق فرایند داخلی n+2/3 خود می‌تواند به ترانزیستورهایی با ابعاد ۵ نانومتر دست یابد، با لیتوگرافی پیشرفته‌ی EUV که TSMC و سامسونگ از آن استفاده می‌کنند، یکسان نخواهد بود.

ازآنجاکه لیتوگرافی DUV برای دستیابی به الگوی مورد نظر روی تراشه به چندین مرحله‌ نوردهی نیاز دارد، می‌تواند به افزایش هزینه‌های تولید و احتمالاً بازدهی پایین‌تر نسبت‌ به EUV منجر شود. درمقام‌مقایسه EUV حتی با یک مرحله‌ نوردهی می‌تواند طرح‌های پیچیده‌تری را روی تراشه چاپ کند.

DCS می‌گوید تراشه‌ی جدید Kirin هواوی از نظر مصرف انرژی نسبت‌ به نسل قبلی خود بهبود قابل‌ توجهی خواهد داشت. امکان دارد مصرف انرژی تراشه‌ی مذکور به‌طور کامل به کارایی جدیدترین محصولات کوالکام نرسد، زیرا به گفته‌ی افشاگران، بهینگی مصرف انرژی Kirin بعدی با اسنپدراگون ۸ نسل ۲ برابری خواهد کرد. از طرفی DCS می‌گوید تراشه‌ی جدید Kirin قطعاً نسبت‌ به اسنپدراگون ۸ پلاس نسل یک کارآمدتر خواهد بود.

نکته‌ی مهم اینکه جزئیات مربوط به مصرف انرژی نسل بعدی تراشه‌ی Kirin هنوز به‌طور رسمی تأیید نشده‌اند و سایر مشخصات سیستم-روی-چیپ مذکور ازجمله شماره‌ی مدل، پیکربندی هسته‌ها و تاریخ عرضه‌ی آن مشخص نیست.

هنوز نمی‌دانیم کدام شرکت وظیفه‌ی ساخت نسل بعدی تراشه‌ی Kirin را برعهده خواهد داشت. DCS اشاره می‌کند TSMC و سامسونگ به‌دلیل محدودیت‌های ایالات‌ متحده در گزینه‌های هواوی قرار ندارند و در نتیجه سیستم-روی-چیپ مورد بحث به‌احتمال زیاد در کشور چین تولید خواهد شد، اما مشخص نیست کدام کارخانه در چین توانایی تولید تراشه با فرایند ۵ نانومتری DUV را دارد.