وزارت بازرگانی ایالات متحده اعلام کرد که قصد دارد به شرکت تایوانی GlobalWafers مبلغ ۴۰۰ میلیون دلار اختصاص دهد تا ظرفیت تولید ویفرهای نیمه‌رسانا را در خاک آمریکا بسیار افزایش دهد.

به‌گزارش رویترز، منابع مالی مذکور صرف راه‌اندازی اولین خط تولید ویفرهای پیشرفته‌ی ۳۰۰ میلی‌متری و گسترش تولید ویفرهای سیلیکون-روی-عایق (Silicon-on-Insulator) در ایالت‌های تگزاس و میزوری خواهند شد. دولت بایدن قصد دارد با این کار، زنجیره‌ی تأمین ویفرهای سیلیکونی بومی را افزایش دهد.

مبلغ ۴۰۰ میلیون دلار دولت تأمین‌کننده‌ی بخشی از سرمایه‌گذاری ۴ میلیارد دلاری شرکت گلوبال‌ویفرز خواهد بود که برای احداث کارخانجات تولید نیمه‌هادی در ایالت‌های مذکور به‌کار خواهد رفت. قرار است در این دو کارخانه ویفرهای موردنیاز برای ساخت تراشه‌های رم و تراشه‌هایی با کاربردهای نظامی، فضایی، وسایل نقلیه‌ی برقی و انرژی‌های تجدیدپذیر تولید شوند.

گینا رایموندو، وزیر بازرگانی آمریکا گفت: «گلوبال‌ویفرز با فراهم‌آوردن امکان تولید داخلی ویفرها، نقشی حیاتی در تقویت زنجیره‌ی تأمین نیمه‌هادی آمریکا ایفا می‌کند که ستون فقرات تراشه‌های پیشرفته است.

دوریس هسو، رییس هیئت‌مدیره و مدیرعامل گلوبال‌ویفرز، سپاسگزاری خود را از حمایت دولت ایالات متحده بیان کرد: «افتخار می‌کنیم از اینکه نقشی مهمی در زنجیره‌ی تأمین نیمه‌هادی ایالات متحده داریم.»

در‌حال‌حاضر، پنج شرکت بزرگ ازجمله گلوبال‌ویفرز بیش از ۸۰ درصد بازار تولید ویفرهای میلی‌متری جهان را در‌اختیار دارند. حدود ۹۰ درصد از این ویفرها در شرق آسیا تولید می‌شوند.

ویفرساز تایوانی در سال ۲۰۲۲ پس از تصویب قانون حمایت از صنعت نیمه‌رسانا در کنگره‌ی آمریکا، اعلام کرد کارخانه‌ای به‌ارزش ۵ میلیارد دلار در تگزاس برای تولید ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری احداث خواهد کرد.