به گزارش خبرگزاری اقتصادایران ، سامسونگ فاندری ۱۲ ژوئن ۲۰۲۴ (۲۳ خرداد ۱۴۰۳) در سیلیکون‌ ولی آمریکا مجمع سالانه‌ی SAFE Forum خود را برگزار می‌کند. انتظار می‌رود غول کره‌ای در آن رویداد برنامه‌های خود را برای تولید انبوه پردازنده‌های یک نانومتری و دو نانومتری اعلام کند.

 طبق گزارش منتشرشده، سامسونگ قصد دارد تولید تراشه‌های یک نانومتری خود را یک سال جلو بیندازد. پیش‌بینی می‌شد تولید این تراشه‌ها در سال ۲۰۲۷ آغاز شود، اما به‌نظر می‌رسد سامسونگ تصمیم گرفته است برنامه‌های خود را در سال ۲۰۲۶ شروع کند.

سامسونگ در تلاش بوده است تا در زمینه‌ی تولید نیمه‌رساناها از رقیب خود یعنی TSMC پیشی بگیرد؛ اما برنامه‌های این شرکت تاکنون نتیجه نداده است. به دلیل مشکلات گرمایشی و راندمانی در پردازنده‌های چهار و پنج نانومتری سامسونگ، کوالکام برای بیشتر پردازنده‌های خود به TSMC روی آورده است.

سامسونگ با استفاده از معماری ترانزیستور Gate All Around (GAA) در فرآیند سه نانومتری، انتظار داشت مشکلات گرمایشی و راندمانی را حل کند. این شرکت در سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری را آغاز کرد، اما به دلیل مشکلات مربوط به راندمان، نتوانست مشتری بزرگی برای پردازنده‌های خود پیدا کند.

TSMC از همان معماری ترانزیستور GAA در فرایند دو نانومتری خود استفاده می‌کند. TSMC حتی با افزایش سه برابری ظرفیت تولید نیز نمی‌تواند تمام سفارشات تراشه‌ی مشتریان خود را برآورده کند.

انتظار می‌رود Exynos W1000 سامسونگ اولین پردازنده‌ای باشد که با استفاده از فرایند سه نانومتری Samsung Foundry تولید می‌شود. این تراشه به احتمال زیاد در ساعت هوشمند سامسونگ مدل گلکسی واچ ۷ استفاده خواهد شد.